企业简介
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庆康科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW399397 | 电感耦合式高密度电浆清洗方法 | 2000.07.21 | 本发明系关于一种电感耦合式高密度电浆清洗之方法，其系利用一电感耦合式装置，在无线电频率范围内，将氢气 |
| 2 | TW496417 | 电感耦合溅镀设备 | 2002.07.21 | 一种电感耦合溅镀设备，包含一固定靶材之背板、一承载基板之载台、一个在背板与载台之间的线圈，该线圈系设 |
| 3 | TW397251 | 具电浆强制导流装置之电浆清洗设备 | 2000.07.01 | 本创作揭露一种具强制导流装置之电浆与自由基清洗设备，其主要特征在于在真空反应腔中加设一个或数个开孔档 |
| 4 | TW485497 | 多晶矽薄膜之形成方法及其形成装置 | 2002.05.01 | 一种多晶矽薄膜之形成方法，其系一基板在如CVD沉积室内低温形成非晶矽薄膜后，其中该基板对该非晶矽薄膜 |
| 5 | CN103514471A | 无线辨识标签产品验证架构与方法 | 2014.01.15 | 本发明公开了一种无线辨识标签产品验证架构与方法，该架构包含载明有对象序号的显性标签以及隐性无线辨识标 |
| 6 | CN202632321U | 无线辨识标签产品验证架构 | 2012.12.26 | 本实用新型公开了一种无线辨识标签产品验证架构，该架构包含载明有对象序号的显性标签以及隐性无线辨识标签 |
| 7 | TWI281689 | 电浆处理室内基板之表面加热方法及其处理设备 | 2007.05.21 | 一种电浆处理室内基板之表面加热方法，当一基板在一电浆处理室内进行电浆处理时，如溅镀、沉积或蚀刻，在处 |
| 8 | TW200715505 | 基板卡盘之回收再生方法 | 2007.04.16 | 一种基板卡盘之回收再生方法，一回收之基板卡盘系包含有一陶瓷板体以及一第一金属连接器，移除该第一金属连 |
| 9 | TW200704292 | 接地连接之基板卡盘 | 2007.01.16 | 一种接地连接之基板卡盘，主要包含有一陶瓷板体以及一金属螺母，该陶瓷板体系具有一嵌入式金属电极以及一连 |
| 10 | TW200636968 | 适用于晶圆载台之接地线改质方法 | 2006.10.16 | 一种适用于晶圆载台之接地线改质方法，在提供一含钨接地线之后，进行一退火处理步骤，将该含镍接地线放置于 |
| 11 | TW200623307 | 晶圆固定装置 | 2006.07.01 | 一种晶圆固定装置，主要包含有一高压密闭舱体以及一晶圆载台，该晶圆载台系设置于该高压密闭舱体内，用以承 |
| 12 | TWI257829 | 接地连接之基板卡盘 | 2006.07.01 | 一种接地连接之基板卡盘，主要包含有一陶瓷板体以及一金属螺母，该陶瓷板体系具有一嵌入式金属电极以及一连 |
| 13 | TW200619403 | 物理气相沉积内腔室之制造方法 | 2006.06.16 | 一种物理气相沉积内腔室之制造方法，该方法系提供一电绝缘性腔室基材，该基材系具有一内壁表面，用以吸附溅 |
| 14 | TWI250606 | 晶圆固定装置 | 2006.03.01 | 一种晶圆固定装置，主要包含有一高压密闭舱体以及一晶圆载台，该晶圆载台系设置于该高压密闭舱体内，用以承 |
| 15 | TWI236084 | 静电吸盘之制造方法 | 2005.07.11 | 一种静电吸盘之制造方法，其系形成一第一介电层于一盘本体之静电吸附面，利用金属蒸汽真空弧离子植入技术将 |
| 16 | TWM267462 | 溅镀装置之准直仪 | 2005.06.11 | 一种溅镀装置之准直仪，其具有多个贯穿通孔并供设置于溅镀靶与待处理物之间，且该准直仪系由低膨胀系数并具 |
| 17 | TWM261510 | 化学气相沉积之洁净环 | 2005.04.11 | 一种化学气相沉积之洁净环，具有一上表面及一用以容置晶圆之开口，复数个导位梢系形成于该上表面且邻接该开 |
| 18 | TWI225103 | 溅镀靶背板 | 2004.12.11 | 一种溅镀靶背板，供安装溅镀靶于处理室内，该背板之一面为冷却面，以供与冷却液接触散热，而该背板之另一面 |
| 19 | TW200419693 | 静电吸盘之制造方法 | 2004.10.01 | 一种静电吸盘之制造方法，其系形成一第一介电层于一盘本体之静电吸附面，利用金属蒸汽真空弧离子植入技术将 |
| 20 | TW595804 | 高导热性之晶圆加热台 | 2004.06.21 | 一种高导热性之晶圆加热台，其包含有一由金属粉末冶金〔metal powder metallurgy〕 |
| 21 | TW591130 | 多晶矽之直接形成方法及其形成装置 | 2004.06.11 | 一种多晶矽之直接形成方法，其系在低压状态下以电浆喷涂方式将导入之矽粉形成雾化矽液而涂施于基板上，进而 |
| 22 | TW586988 | 化学机械研磨之拘束环 | 2004.05.11 | 一种化学机械研磨之拘束环，具有一内表面、一外表面及在内表面与外表面之间的磨耗面，其中与内表面呈垂直之 |
| 23 | TW513489 | 电浆处理气体之气体分散盘及其制法 | 2002.12.11 | 一种电浆处理气体之气体分散盘，其内部系分布有数个在盘半径之导气槽，其中每一导气槽在该分散盘之上表面设 |
| 24 | TW504102 | 模组式管状电浆源装置 | 2002.09.21 | 一种模组式管状电浆源装置，其主要包含至少二条状天线、至少一射频电源及至少一参考电位，其中该条状天线系 |
| 25 | TW502368 | 静电吸盘及其制造方法 | 2002.09.11 | 一种静电吸盘，其具有一用以吸附基板之吸附表面，并包含有至少一金属材质之电极板；第一介电层，至少形成于 |
| 26 | TW486919 | 电浆处理之气体分散盘 | 2002.05.11 | 一种电浆处理之气体分散盘，其盘内均匀分布数个第一导气槽道与数个第二导气槽道，其中每一第一导气槽道在气 |
| 27 | TW463532 | 微波电浆激发方法及其反应装置 | 2001.11.11 | 一种微波电浆激发方法及其反应装置，其中微波电浆激发方法系藉由至少一辅助微波源先行激发出一小面积之引火 |
| 28 | TW453508 | 加热载台之护套 | 2001.09.01 | 一种加热载台之护套，其中该加热载台系设置于一处理室内用以承载及加热晶圆或基板，而该护套至少包覆该加热 |
| 29 | TW453511 | 晶圆溅镀集束器之制造装置 | 2001.09.01 | 一种晶圆溅镀集束器之制造装置，其主要系于一底座上设一模具座及一定位移动器，该定位移动器连接一点焊装置 |
| 30 | TW452195 | 高均温性加热垫板 | 2001.08.21 | 一种高均温性加热垫板，该加热垫板主要包含一高热传导层、一低热传导层及至少一高低热传导系数界面。当热量 |
| 31 | TW447035 | 模组式板状电浆源装置 | 2001.07.21 | 一种模组式板状电浆源装置，其主要包含至少二长板状天线、至少一射频电源及至少一参考电位，其中该长板状天 |
| 32 | TW430874 | 一种使用于一蚀刻机台之晶片固定装置 | 2001.04.21 | 一种使用于一蚀刻机台之晶片固定装置，用来固定一半导体晶片。该蚀刻机台包含有一中空壳体,而该晶片固定装 |
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